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被禁乐队的含义是什么?

来源:365bet日博 作者:365bet日博吧 时间:09-30 09:13:21 点击:
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(1)在半导体能带结构中,导带的最低点和价带的最高点之间的能量差称为禁带Eg(单位为电子伏特)。
如果将禁带Eg2ev称为窄带半导体,例如锗(Ge),硅(Si),砷化镓(GaAs),磷化铟(InP)(2)价带和能带,则工作值为禁带它被称为。
当用光照射固体时,仅吸收能量大于禁止带宽的光,并且价带中的电子朝着导带被激发,导致价带中的电子短缺。你。即,产生孔。
(3)该区域的大小称为禁带宽度,能量差为频带分离能量。半导体的带分离能通常为02-30 eV。
当能量等于或大于能带间隔能量的光照射到催化剂上时,价带中的电子被激发并进入禁带的导带,同时价带中相应的空穴即成对的电子。它生成一个。
(4)导带能量的下限与价带能量的上限之间的差距。
根据能带理论,在固体中移动的电子的能谱由一系列特定宽度的准连续能带(称为能带)组成。
两个相邻允许带之间的区域是电子无法占据的能量禁区,称为禁带。
禁带所覆盖的能量范围是禁带。
半导体材料锗,硅和砷化镓在室温下的禁带带宽是否连续?
(5)GaAs砷化镓是一种典型的直接过渡材料。如果光子能量Ay大于禁止带宽Eg(t),则可以将光吸收系数描述为吸收系数,并且禁止带宽Eg(t)直接相关。
并根据M
B.
在潘妮怡的研究中,GaAs材料在20-973K的温度范围内,禁带Eg(t)与温度t之间的关系如下:其中(0)为0K,例如(0)= 1。
522eV; a是一个经验常数,a =O。
00058eV / K; 6是一个经验常数,b = 300K。
因此,您可以看到吸收系数和温度之间的关系。
最后,可以得出传动链T及其吸收系数。
关系(即与温度的关系):其中R是反射系数。X是砷化镓材料的厚度。n1和n2是界面两侧的折射率。



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